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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BCX 42 E6433 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR

内部编号

173-BCX-42-E6433

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:9998
1+¥3.077
10+¥1.9898
100+¥0.8547
1000+¥0.6564
2500+¥0.4992
10000+¥0.4376
20000+¥0.4103
50000+¥0.3624
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BCX 42 E6433产品详细规格

规格书 BCX 42 E6433 datasheet 规格书
BCX42
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 125V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 900mV @ 30mA, 300mA
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 200mA, 1V
功率 - 最大 330mW
频率转换 150MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO 125 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 125 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极最大直流电流 0.8 A
增益带宽产品fT 150 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 25
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23
最大功率耗散 330 mW
最低工作温度 - 65 C
封装 Reel
工厂包装数量 10000
零件号别名 BCX42E6433HTMA1 BCX42E6433XT SP000010902
电流 - 集电极( Ic)(最大) 800mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 150MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 900mV @ 30mA, 300mA
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
标准包装 10,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 125V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
功率 - 最大 330mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 200mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 BCX42
Pd - Power Dissipation 330 mW
身高 1 mm (Max)
宽度 1.3 mm
长度 2.9 mm
品牌 Infineon Technologies

BCX 42 E6433系列产品

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